Vishay SQJ872EP-T1_GE3
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Offizielles DatenblattVor 11 Jahren
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-05-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SQJ872EP-T1_GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SQJ872EP Series 150 V 24.5 A 35.5 mOhm Automotive N-Ch. Mosfet - PowerPAK® SO-8L
Trans MOSFET N-CH 150V 24.5A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
Power Field-Effect Transistor, 24.5A I(D), 150V, 0.0355ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet, N-Ch, 150V, 24.5A, 175Deg C, 55W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24.5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(On):0.0293Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powerrohs Compliant: Yes |Vishay SQJ872EP-T1_GE3
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +6.04%
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)24.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance35.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation55 W
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.267 mm
Datenblätter und Dokumente
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