Vishay SIHG11N80E-GE3
$ 2.188
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTI | SIHG11N80E-GE3 | 450 | 50 | Tube | 1d | |||||||
| TME | SIHG11N80E-GE3 | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| Newark | SIHG11N80E-GE3 | 0 | 1 | |||||||||
| Avnet | SIHG11N80E-GE3 | 0 | 500 | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | SIHG11N80E-GE3 | 0 | 500 |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.28%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 1 Jahre
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SIHG11N80E-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin TO-247AC
Avnet Japan
179W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 88nC@ 10 V 1N 800V 440m¦¸@ 5.5A,10V 12A 1.67nF@100V TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
Mosfet, N-Ch, 800V, 12A, 150Deg C, 179W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):0.38Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SIHG11N80E-GE3
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.28%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Resistance440 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation179 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 1 Jahre