Vishay SI7106DN-T1-GE3
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI7106DN-T1-GE3CT-ND | 2.816 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7106DN-T1-GE3 | 6.000 | 3K | Tape & Reel | 1d | |||||||
| TME | SI7106DN-T1-GE3 | 0 | 3K | 3h | ||||||||
| Newark | SI7106DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Future Electronics | SI7106DN-T1-GE3 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Stock
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797,114
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
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Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
12.5 A
12.5 A
Threshold Voltage
-
1.5 V
Rds On Max
6.2 mΩ
6.2 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
Input Capacitance
-
-
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Single N-Channel 20 V 4.9 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
InfineonIRF7456TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.0047Ohm;ID 16A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;-55
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI7106DN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SI7106DN Series N-Channel 20 V 0.0062 Ohm Power MosFet SMT - POWERPAK-1212-8
Trans MOSFET N-CH 20V 12.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8
1.5W(Ta) 12V 1.5V@ 250¦ÌA 27nC@ 4.5 V 1N 20V 6.2m¦¸@ 19.5A,4.5V 12.5A 1212 3.3mm*3.3mm*1.04mm
N-CH 20-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 20V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 20V 19.5A 3.8W 6.2mohm @ 4.5V
MOSFET, N, PPAK1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):6.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:12.5A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:1.5W; Power Dissipation Pd:1.5W; Rise Time:12ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage Vgs th Max:1.5V; Voltage Vgs th Min:0.6V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance6.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max6.2 mΩ
Resistance6.2 mΩ
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen