Vishay SI2308DS-T1-E3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Farnell | SI2308DS-T1-E3 | 0 | 1 | Cut Tape | 17h | |||||||
| element14 APAC | SI2308DS-T1-E3 | 0 | 1 | Cut Tape | 6h | |||||||
| Microchip USA | SI2308DS-T1-E3 | 2.032 | 3500 | Tray | 2d | |||||||
| Esaler Electronic | SI2308DS-T1-E3 | 3.000 | 7h | |||||||||
| Aztech | SI2308DS-T1-E3 | 265 | 1d |
CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-11-04
LTD Date2011-05-04
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI2308DS-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 0.125Ohm;ID 2A;TO-236 (SOT-23);PD 1.25W;VGS +/-20V
SI2308DS Series 60 V 0.15 Ohm 10 nC N-Channel Surface Mount Mosfet - SOT-23
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:2A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:10A; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; Power Dissipation:1.25W; Power, Pd:1.25W; Quantity, Reel:3000; SMD Marking:A8; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs th Min:1.5V; Width, External:3.05mm; Width, Tape:8mm
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance240 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance160 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.02 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen