Vishay IRLZ44PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsBUK9523-75A,127
Trans MOSFET N-CH 75V 53A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
InfineonIRLZ44NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 47A;TO-220AB;PD 110W;VGS +/-16V
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRLZ44PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 60 V 0.028 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220; Channel Type: N Channel; Drain Source Voltage Vds: 60V; Continuous Drain Current Id: 50A; Transistor Mounting: Through Hole; Rds(on) Test Voltage: 5V; Gate Source Threshold Voltage Max: 2V;
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time110 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance3.3 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation150 W
Rds On Max28 mΩ
Resistance28 mΩ
Rise Time230 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm