Vishay IRFIB6N60APBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP9NK60ZFP
N-Channel 600 V 950 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
onsemiFDPF8N60ZUT
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, Ultra FRFETTM, 600 V, 6.5 A, 1.35 Ω, TO-220F
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFIB6N60APBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 600 V 0.75 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP / MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Through Hole
MOSFET, N, 600V, 5.5A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.75ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation60 W
Rds On Max750 mΩ
Resistance750 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen