Vishay IRFD9110PBF
Obsolete
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Offizielles DatenblattVor 20 Jahren
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFD9110PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
Transistor MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP | Siliconix / Vishay IRFD9110PBF
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P Channel Mosfet, -100V, 700Ma Hd-1; Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:700Ma; On Resistance Rds(On):1.2Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: No
MOSFET, P, DIL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:1.3W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DIP; No. of Pins:4; Current Id Max:-700mA; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:DIP; Power Dissipation Pd:1.3W; Power Dissipation Pd:1.3W; Pulse Current Idm:5.6A; Row Pitch:7.62mm; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDIP
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Current Rating-700 mA
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height3.3782 mm
Length6.2738 mm
Width5.0038 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen