Vishay IRFD9110
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
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Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFD9110, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET | MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
MOSFET, POWER; P-CHANNEL; 20 VOLTS (MAX.); -0.70 AMP (MAX.); 1.3 W
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon
MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
MOSFET P-CHANNEL 100V
100V .700A HEXDIP <AZ
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDIP
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)700 mA
Current Rating-700 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time29 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height3.37 mm
Length5 mm
Width6.29 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen