Vishay IRF9Z24SPBF
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRF9Z24SPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-263
Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P, 60V, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:60W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:TO-262AB; Current Id Max:-11A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:60W; Power Dissipation Pd:60W; Pulse Current Idm:44A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:-60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance570 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max280 mΩ
Resistance280 mΩ
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen