Vishay IRF840ASTRLPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB10NK60ZT4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 0.75ohm; 115W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRF840ASTRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 500 V 0.85 Ohm Surface Mount Power MosFet - D2PAK-3
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET Devices; VISHAY; IRF840ASTRLPBF; 500 V; 8 A; 30 V; 3.1 W
Mosfet N-Channel 500V Rohs Compliant: No |Vishay IRF840ASTRLPBF
3.1W(Ta),125W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1N 500V 850m¦¸@ 4.8A,10V 8A 1.018nF@25V D2PAK,TO-263 4.83mm
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
NCHAN, SMD-220, 500V IRF840ASTRLPBF
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.018 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max850 mΩ
Resistance850 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen