Texas Instruments CSD25211W1015
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VishaySI5515CDC-T1-E3
Dual N/P-Channel 20 V 2.1/1.3 W 11.3/11 nC Silicon SMT Mosfet - 1206-8 ChipFET
Diodes Inc.DMG3415U-7
P-Ch MOSFET 20V 4A 39mΩ@4A,4.5V 9.1nC@4.5V 294pF@10V SOT-23-3 SMD 2.9mm × 1.3mm × 1.03mm
Diodes Inc.DMP2035U-7
Single P-Channel 20 V 0.81 W 15.4 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Beschreibungen
Beschreibungen von Texas Instruments CSD25211W1015, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 33 mOhm, gate ESD protection 6-DSBGA -55 to 150
1W(Ta) 6V 1.1V@250µA 4.1nC@4.5V P-Ch MOSFET 20V 33mΩ@1.5A,4.5V 3.2A 570pF@10V BGA SMD 1.5mm × 1mm × 625μm
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, -3.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET PCh NexFET Power MOSFET
P-CHANNEL; Configuration: SINGLE; Surface Mount: YES; Maximum Power Dissipation (Abs): 1 W; Maximum Drain-Source On Resistance: .044 ohm; Moisture Sensitivity Level (MSL): 1;
Aliasnamen des Herstellers
Texas Instruments verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Texas Instruments ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)-3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-6 V
Input Capacitance570 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1 W
Rds On Max33 mΩ
Rise Time8.8 ns
Turn-Off Delay Time36.9 ns
Turn-On Delay Time13.6 ns
Dimensions
Height1 mm
Length1.5 mm
Thickness2 mm
Width1.8 mm