Texas Instruments CSD23280F3T
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Technische Ressourcen
Evaluierungskits und Referenzdesigns für Texas Instruments CSD23280F3T anzeigen.
Evaluation Kit
Beschreibungen
Beschreibungen von Texas Instruments CSD23280F3T, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR / Trans MOSFET P-CH 12V 1.8A 3-Pin PicoStar T/R
-12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Mosfet, P-Ch, -12V, -1.8A, Lga-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.8A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(On):0.097Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-650Mv; Power Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T
Aliasnamen des Herstellers
Texas Instruments verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Texas Instruments ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -9.47%
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageLGA
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-12 V
Drain to Source Resistance97 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-12 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)-6 V
Input Capacitance234 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation500 mW
Rds On Max116 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-650 mV
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height350 µm
Length690 µm
Thickness345 µm
Width600 µm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen