Taiwan Semiconductor BC846B
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Taiwan Semiconductor BC846B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SOT-23 80V 0.1A NPN Bipolar Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
500mV@ 5mA,100mA NPN 200mW 6V 100nA 80V 65V 100mA SOT-23 3.04mm*1.4mm*1.12mm
TRANSISTOR,BC846B RF
RS APAC
SOT23 TRANS 200MW
Aliasnamen des Herstellers
Taiwan Semiconductor verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Taiwan Semiconductor ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TAIWAN SEMI
- TSC
- TAIWAN
- Taiwan Semiconductor Corporation
- TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- TAIWAN SEM
- TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF
- TAIWAN SEMICOND
- TAIW
- Taiwan Semiconductor Company
- Taiwan Semiconductor(Taiwan Semicon)
- SEMICONDUCTO
- Taiwan Semiconductors
- Taiwan Semiconduct
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Taiwan Semiconductor Co
- Taiwan Semiconductor(TSC)
- TWAN
- SEMICONDCTOR
- Won-Top Electronics
- TAIWAN SEMICONDUSTOR
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
- Taiwan Semiconductor Europe GmbH
- TAWIN SEMI
- TAIWAN OHM
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Breakdown Voltage51 V
Clamping Voltage70.1 V
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Continuous Collector Current100 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Forward Voltage1 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
Gate to Source Voltage (Vgs)-1.5 V
hFE Min200
Input Capacitance436 pF
Max Collector Current100 mA
Max Forward Surge Current (Ifsm)2.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 mW
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)250 V
Max Reverse Leakage Current1 µA
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements1
Peak Pulse Current21.4 A
Peak Pulse Power 1.5 kW
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Reverse Recovery Time50 ns
Reverse Standoff Voltage24 V
Test Current2.5 mA
Transition Frequency100 MHz
Zener Voltage75 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length3 mm
Width1.4 mm