STMicroelectronics TIP36C
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics TIP36C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 100 V, 25 A, 125 W, TO-247, Through Hole
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, PNP, AMPLIFIER, POWER, VCEO -100V, IC -25A, PD 125W, TO-247
100V 125W 10@15A,4V 25A PNP TO-247 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TIP36C Series 100 V 25 A PNP Complementary Power Transistor - TO-247
Trans GP BJT PNP 100V 25A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
COMPLEMENTARY POWER TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANSISTOR, PNP, 100V, 25A, TO247; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 125W; DC Collector Current: 25A; DC Current Gain hFE: 50hFE; Transisto
STMicroelectronics PNPTransistor, TO-247encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current-25 A, maximum collector-emission voltage-100 V
Bipolar Transistor, Pnp, -100V; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:25A; Power Dissipation:125W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:3Mhz Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics TIP36C.
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight3.628739 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-25 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Collector Current25 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation125 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant