STMicroelectronics STW78N65M5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW88N65M5
N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW77N65M5
N-channel 650 V, 0.033 Ohm, 69 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW70N60M2
N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW78N65M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STW78N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 69 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Automotive-grade N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 69 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO-247 package
Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 650V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 650V, 69A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:69A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW78N65M5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -3.45%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)69 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance32 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation450 W
Rds On Max32 mΩ
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time163 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant