STMicroelectronics STW46NF30
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-09-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFP4137PBF
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
International RectifierAUIRFP4409
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFP4229PBF
MOSFET Operating temperature: -40...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW46NF30, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 300 V, 0.063 Ohm typ., 42 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Hv Mosfet Planar |Stmicroelectronics STW46NF30
Automotive Power Discrete, 300V, 45A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
300W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 90nC@ 10 V 1individualNChannel 300V 75m¦¸@ 17A,10V 42A 3.2nF@25V TO-247-3 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.2 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation220 W
Rds On Max75 mΩ
Rise Time38 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time80 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant