STMicroelectronics STW40NF20
$ 3.081
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-07-18
LTD Date2024-01-18
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW52NK25Z
N-channel 250 V, 0.033 Ohm typ., 52 A, Zener protected SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW40NF20, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 200 V 45 mOhm Flange Mount STripFET Power Mosfet - TO-247
N-channel 200V - 0.038Ohm -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 200V, 40A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.038ohm; ; Available until stocks are exhausted Alternative available
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -15.18%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time44 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time74 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant