STMicroelectronics STW35N65DM2
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW35N65DM2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 650V 32A TO247 / N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
N-channel 650 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
Ciiva
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STW35N65DM2
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 650V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 32A, TO-247;
650V 32A 93m´Î@10V16A 250W 4V@250uA 2.5pF@100V N Channel 2.54nF@100V 56.3nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-247-3 MOSFETs ROHS
250W(Tc) 25V 5V@ 250µA 56.3nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 110mΩ@ 16A,10V 32A 2.54nF@100V TO-247-3 Through hole mounting
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Datenblätter und Dokumente
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