STMicroelectronics STW20NM50
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Alternative Teile
Dieser Teil
Alternative Teile
Price @ 1000
$ 3.885
Stock
141,682
242,531
Authorized Distributors
2
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
550 V
500 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
4 V
4 V
Rds On Max
250 mΩ
250 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
214 W
214 W
Input Capacitance
1.48 nF
1.38 nF
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW20NM50, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 500V - 0.22Ohm - 20A - TO-247 MDmesh(TM) POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power MOSFET Transistors N-Ch 500 Volt 20 Amp
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
N Channel Mosfet, 550V, 20A, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:550V; Continuous Drain Current Id:20A; On Resistance Rds(On):0.25Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight9.071847 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.48 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation214 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation214 W
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 mΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-On Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)550 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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