STMicroelectronics STW15NK50Z
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Verwandte Teile
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N-channel 500 V, 0.23 Ohm, 17 A SuperMESH(TM) Power MOSFET Zener-protected TO-247
STMicroelectronicsSTW14NK50Z
N-Channel 500V - 0.34 Ohm - 14A TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTW13NK60Z
N-Channel 600 V, 0.48 Ohm, 13 A, TO-247 Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW15NK50Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 500V - 0.30 Ohm - 14A - TO-247 Zener-Protected SuperMESH(TM) POWER MOSFET
STW15NK50Z N-channel MOSFET Transistor, 14 A, 500 V, 3-Pin TO-247
N-Channel 500 V 0.34 O Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 500V, 7A, 150Deg C, 160W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:7A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:30V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.75V; Msl:-Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW15NK50Z
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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3-Monats-Trend: -2.05%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Current Rating14 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance340 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.26 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max340 mΩ
Resistance340 mΩ
Rise Time23 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant