STMicroelectronics STW10N95K5
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW10N95K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STW10N95K5 N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 950 V, 3-Pin TO-247
N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
Single N-Channel 950 V 130 W 22 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 950V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 950V, 8A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:950V; Continuous Drain Current Id:8A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Qualification:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW10N95K5
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance630 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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