STMicroelectronics STU6N60M2
$ 0.65
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STU6N60M2 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Mouser | 511-STU6N60M2 | 753 | 1 | Tube | ||||||||
| Microchip USA | STU6N60M2 | 250 | 150 | Tube | 7h | |||||||
| Win Source | WS-STU6N60M2 | 3.115 | 65 | 14h | ||||||||
| Worldway Electronics | STU6N60M2 | 28.301 | 7 | Tube | 13h |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STU6N60M2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 1.06 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK / N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
STU6N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 4.5 A, 650 V, 3-Pin IPAK
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance232 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time7.4 ns
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time9.5 ns
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant