STMicroelectronics STS8C5H30L
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF9389TRPBF
Mosfet, N/P-Ch, 30V, 6.8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF9389TRPBF
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STS8C5H30L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30V 1.6W 1.6V@250uA 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel +150¡Í@(Tj) SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
N-channel 30 V, 0.018 Ohm typ., 8 A, P-channel 30 V, 0.045 Ohm typ., 5 A Power MOSFET in a SO-8 package
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8-Pin SO N T/R
MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
MOSFET Dual N/P-Channel 30V 8A/5.4A SO8
Power MOSFET Transistors N/P-Ch 30V 8/5 Amp
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Power MOSFETs, 30V, 8A, SO-8, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Mosfet, Complementary, 30V, 8A, 1.6W; Transistor Polarity:Complementary N And P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:8A; On Resistance Rds(On):0.018Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Product Range:-Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STS8C5H30L
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance25 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance857 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Rds On Max25 mΩ
Resistance22 MΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Dimensions
Height1.25 mm
Length5 mm
Width4 mm