STMicroelectronics STS3DPF60L
Obsolete
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Nicht autorisierte Händler
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Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STS3DPF60L, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 3A 8-Pin SOIC T/R
DUAL P-CHANNEL 60V - 0.10 Ohm - 3A SO-8 STripFET MOSFET
Power MOSFET Transistors Dual P-Ch 60 Volt 3A
3 A 60 V 0.16 ohm 2 CHANNEL P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 8-Pin SO
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.16ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
CAP CER 10000PF 100V C0G RADIAL
Transistor; Continuous Drain Current, Id:3A; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating-3 A
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Fall Time14.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance630 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation2 W
Rds On Max120 mΩ
Rise Time54 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Datenblätter und Dokumente
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