STMicroelectronics STS2DPFS20V
Obsolete
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Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-26
LTD Date2009-06-26
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STS2DPFS20V, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 20V - 0.14 Ohm - 2A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET(TM) MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER
Power MOSFET Transistors P-Ch 20 Volt 2.5 Amp
2.5 A 20 V 0.25 ohm P-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Quad Receiver RS-422 16-Pin SOP T/R
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:2.5A; On Resistance, Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:0.6V ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Current Rating-2.5 A
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance315 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max200 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Datenblätter und Dokumente
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