STMicroelectronics STP9NK70ZFP
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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MOSFET, N-CH, 500V, 8.7A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP9NK70ZFP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 700V - 1Ohm - 7.5A - TO-220FP Zener-Protected SuperMesh(TM) POWER MOSFET
STP9NK70ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.5 A, 700 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 700V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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STMicroelectronics NMOS MDmesh, SuperMESH, Vds=700 V, 7.5 A, TO-220FP, , 3
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 700V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 700V, 7.5A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Pow
Mosfet, N Channel, 700V, 7.5A, To-220Fp; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:4A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:700V; Resistencia De Activación Rds(On):1Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STP9NK70ZFP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage700 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant