STMicroelectronics STP80NF55-06FP
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-04-01
LTD Date2021-10-01
Verwandte Teile
InfineonIRFI3205PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.008Ohm;ID 64A;TO-220 Full-Pak;PD 63W;-55de
InfineonIPP70N04S406AKSA1
40V, N-Ch, 6.5 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP55NF06FP
N-channel 60 V, 0.015 Ohm, 50 A STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220FP package
onsemiFDPF041N06BL1
MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F / Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP80NF55-06FP, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
STP80NF55-06FP N-channel MOSFET Transistor, 60 A, 55 V, 3-Pin TO-220FP
N-channel 55 V, 5 mOhm, 80 A TO-220FP STripFET(TM) II Power MOSFET
Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220FP Polarity: N Power dissipation: 45 W
N-CHANNEL 55V-0.005 OHM-80A-TO-220FP STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 60A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance6.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time155 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height9.3 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant