STMicroelectronics STP45N10F7
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-28
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-09-14
LTD Date2027-03-14
Verwandte Teile
onsemiFDP150N10A-F102
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP45N10F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.013 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
STP45N10F7 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 45 A, 100 V, 3-PIN TO-220
N-Channel 100 V 0.018 O 25 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 100V, 45A, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:45A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP45N10F7
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight329.988449 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)45 A
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.64 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant