STMicroelectronics STP1N105K3
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-08-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-02-04
LTD Date2016-08-04
Verwandte Teile
InfineonSPP04N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3 N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
STMicroelectronicsSTP2NK100Z
STP2NK100Z N-channel MOSFET Transistor, 1.85 A, 1000 V, 3-Pin TO-220
InfineonIPP90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3 N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
InfineonSPP06N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3 N-Channel 800 V 6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP1N105K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 1050 V, 8 Ohm typ., 1.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
60W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 13nC@ 10 V 1N 1.05KV 11¦¸@ 600mA,10V 1.4A 180pF@100V TO-220
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -2.87%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.05 kV
Drain to Source Resistance1.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)1.05 kV
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance180 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max11 Ω
Resistance11 Ω
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant