STMicroelectronics STP18N55M5
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP16N65M5
N-channel 650 V, 0.230 Ohm, 12 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP19NM50N
N-channel 500 V, 0.2 Ohm, 14 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP15NM60ND
N-channel 600 V, 0.27 Ohm typ., 14 A FDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP18N55M5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 550 V, 0.150 Ohm typ., 16 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220 package
STP18N55M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 13 A, 550 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 550V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 550V, 13A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 14A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage550 V
Drain to Source Resistance240 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)550 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.352 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage550 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max192 mΩ
Resistance240 MΩ
Rise Time9.5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time29 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant