STMicroelectronics STP185N55F3
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-02-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2022-10-01
LTD Date2023-04-01
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP190N55LF3
N-channel 55 V, 2.9 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in a TO-220 package
InfineonIPA029N06NXKSA1
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onsemiFDP030N06B-F102
Single N-Channel 60 V 3.1 mOhm 99 nC 205 W Flange Mount Mosfet - TO-220-3
InfineonIPA032N06N3GXKSA1
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InfineonIPP120N06S402AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
NXP SemiconductorsBUK753R5-60E,127
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP185N55F3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 55 V, 3.2 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 55V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Single N-Channel 55 V 3.8 mOhm 100 nC 330 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 55V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.8 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation315 W
Rds On Max3.8 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant