STMicroelectronics STP14NF12
$ 1.4
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-09
LTD Date2019-02-09
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP14NF12, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Mosfet Transistor, N Channel, 7 A, 120 V, 160 Mohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
N-Channel 120V - 0.16Ohm - 14A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
STP14NF12 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 14 A, 120 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 120V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
14 A 120 V 0.18 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
MOSFET, N CH, 120V, 14A, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7A; Drain Source Voltage Vds: 120V; On Resistance Rds(on): 0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
N-CHANNEL 120V-0.16 OHM-14A TO-220 LOW GATE CHARGE STRIPFET II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 120V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance460 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max180 mΩ
Rise Time25 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant