STMicroelectronics STP10NK70Z
$ 2.236
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-5893-5-ND | 120 | 1 | Tube | ||||||||
| Farnell | STP10NK70Z | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| element14 APAC | STP10NK70Z | 0 | 1 | 9h | ||||||||
| Microchip USA | STP10NK70Z | 1.481 | 600 | Tray | 12h | |||||||
| Win Source | WS-STP10NK70Z | 18.000 | 55 | 20h |
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N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP10NK70Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-CHANNEL 700 V - 0.75 OHM - 8.6 A TO-220 ZENER-PROTECTED SuperMESH POWER MOSFET
Trans MOSFET N-CH 700V 8.6A 3-Pin (3+Tab) TO-220 Tube
150W(Tc) 30V 4.5V@ 100¦ÌA 90nC@ 10 V 1N 700V 850m¦¸@ 4.5A,10V 8.6A 2nF@25V TO-220 9.15mm
Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 700V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N, To-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:700V; Continuous Drain Current Id:8.6A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.75V; Power Dissipation:150W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STP10NK70Z
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.6 A
Current Rating8.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage700 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max850 mΩ
Rise Time19 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time46 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)700 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant