STMicroelectronics STP10N62K3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-01-29
LTD Date2014-07-29
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP10NK60Z
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP11NK50Z
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 10A TO-220FP
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STP10N62K3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 620 V, 0.68 Ohm typ., 8.4 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 620V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
8.4 A 620 V 0.75 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 620V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 620V, 8.4A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.4A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):0.68ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; MSL:- ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance750 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max750 mΩ
Resistance680 mΩ
Rise Time15 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time14.5 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant