STMicroelectronics STN1NF20
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Verwandte Teile
VishayIRFL210TRPBF
IRFL210TRPBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.96 A, 200 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
VishayIRFL210PBF.
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2 W
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STN1NF20, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 200 V, 1.1 Ohm, 1 A STripFET(TM) II Power MOSFET in SOT-223 package
Single N-Channel 200 V 2 W 5.7 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
2W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 5.7nC@ 10 V 1N 200V 1.5¦¸@ 500mA,10V 1A 90pF@25V SOT-223 6.5mm*3.5mm
Trans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
MOSFET, N-CH, 200V, 1A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power D
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.58%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance90 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max1.5 Ω
Rise Time5.6 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant