STMicroelectronics STI260N6F6
$ 2.414
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-05-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
Verwandte Teile
InfineonIPP100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3 / N-Channel 75 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
InfineonIPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 / N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
onsemi2SK4066-1E
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 100A Ta 100A 1.65W 750ns
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STI260N6F6, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 60 V, 0.0024 Ohm, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in I2PAK package
STI260N6F6 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 60 V, 3-Pin I2PAK
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time62.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.4 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation300 W
Rds On Max3 mΩ
Resistance3 MΩ
Rise Time165 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time144.4 ns
Turn-On Delay Time31.4 ns
Dimensions
Height10.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant