STMicroelectronics STGYA120M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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STMicroelectronics

Datasheet16 SeitenVor 9 Jahren

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Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGYA120M65DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S / IGBT NPT, Trench Field Stop 650 V 160 A 625 W Through Hole MAX247™
Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel
Short-circuit rugged IGBT, Max247 long leads, Tube
STMicroelectronics SCT
IGBT 650V 120A 1,95V TO-247MAXL
Igbt |Stmicroelectronics STGYA120M65DF2
IGBT Transistors PTD IGBT & IPM
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23-5
625W 1.65V 650V 160A MAX-247-3

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics