STMicroelectronics STGWA40H120DF2
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IGBT 1200V 80A 555W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
International RectifierIRG8P50N120KDPBF
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IGBT 1200V 40A TO-247 / IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 535 W Through Hole TO-247-3
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGWA40H120DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 468000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
TRENCH GATE IGBT TO247 PKG / Very fast recovery antiparallel diode
H Series 600 V 40 A Through Hole 468 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Discrete IGBTs; STGWA40H120DF2; STMICROELECTRONICS; 1.2 kV; 80 A; 1.2 kV
Trench gate field-stop IGBT, TO-247 long leads, Tube
STMicroelectronics SCT
IGBT 1200V 40A 2,1V TO-247 long
IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
468W 2.1V 2.6V@ 15V,40A 80A TO-247-3 24.45mm
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current40 A
Forward Voltage3.9 V
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation468 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time488 ns