STMicroelectronics STGP6M65DF2
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGP6M65DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
Trans IGBT Chip N 650V 12A 3-Pin TO-220 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Igbt |Stmicroelectronics STGP6M65DF2
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current12 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation88 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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