STMicroelectronics STGP4M65DF2

Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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STMicroelectronics

Datasheet17 SeitenVor 10 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-11-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGP4M65DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0603 0.068uF 100volt X7S +/-10% Hi Rel
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 650V, 8A, TO-220-3; DC Collector Current: 8A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 68W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-220; No. of Pins: 3

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics