STMicroelectronics STGP40V60F
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-20
LTD Date2023-09-20
Verwandte Teile
LittelfuseIXGP30N60C3D4
High-Frequency Series - 300V - 1400V [>40 kHz] PT (Punch Through) IGBTs, TO-220AB, RoHS
InfineonIRGB4062DPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 48A 250W TO220AB
STMicroelectronicsSTGF30H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 31000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
STMicroelectronicsSTGF10NC60KD
STGF10NC60KD Series 600 V 9 A N-Channel Power Mesh IGBT - TO-220FP
InfineonIRG4IBC30WPBF
IRG4IBC30WPbF Series 600 V 17 A Flange Mount N-Channel IGBT - TO-220 Full-Pak
STMicroelectronicsSTGF14NC60KD
STGF14NC60KD Series 600 V 11 A Flange Mount Short-Circuit Rugged IGBT - TO-220FP
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGP40V60F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
STGP40V60F, IGBT Transistor, 40 A 600 V, 1MHz, 3-Pin TO-220
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 600V, 80A, TO-220AB; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: 283W; Collector Emitter Vol; Available until stocks are exhausted Alternative available
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current80 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation283 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation283 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time208 ns
Turn-On Delay Time52 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant