STMicroelectronics STGP30H60DFB
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
onsemiSGS10N60RUFDTU
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 55000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / IGBT 600V 16A 55W TO220F
onsemiHGTP12N60A4
Tube Through Hole N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.7V @ 15V 12A 54A 167W 17ns/96ns
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGP30H60DFB, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Igbt, Single, 600V, 60A, To-220; Continuous Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:260W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGP30H60DFB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)600 V
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.55 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Forward Current30 A
Forward Voltage2 V
Max Collector Current60 A
Max Power Dissipation260 W
Number of Elements1
Reverse Recovery Time53 ns
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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