STMicroelectronics STGP20M65DF2
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-04-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGP20M65DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss
Igbt, 650V, 40A, 175Deg C, 166W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGP20M65DF2
Trans IGBT Chip N-CH 650V 40A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)650 V
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Forward Current20 A
Forward Voltage1.85 V
Max Collector Current40 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation166 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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