STMicroelectronics STGF4M65DF2
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-11-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2025-12-19
LTD Date2026-06-19
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGF4M65DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
Trans IGBT Chip N 650V 8A 3-Pin TO-220FP Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
M Series 650 V 8 A Through Hole Silicon IGBT - TO-220FP
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation23 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Datenblätter und Dokumente
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