STMicroelectronics STGF10H60DF
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGF10H60DF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30W 20A 600V FS(Field Stop) TO-220FP IGBT Transistors / Modules ROHS
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 30W 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 600V, 20A, TO-220FP; DC Collector Current: 20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.5V; Power Dissipation Pd: 30W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-220FP; No. of Pi
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.299997 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Reverse Recovery Time107 ns
Schedule B8541290080
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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