STMicroelectronics STGD6M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
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STMicroelectronics

Datasheet20 SeitenVor 10 Jahren

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-08-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGD6M65DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
IGBT Trench Field Stop 650 V 12 A 88 W Surface Mount DPAK
Trans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
32-bit Microcontrollers - MCU 32-BIT Embedded MCU 64 MHz 512kB Body
Igbt |Stmicroelectronics STGD6M65DF2
88W 12A 650V Trench Field Stop TO-252 IGBTs ROHS
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
88W 1.55V Discrete 650V 12A TO-252 SMD

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics