STMicroelectronics STGD4M65DF2

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
$ 0.57
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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
497-16963-1-ND2.5501Cut Tape
TME
2
STGD4M65DF201
4h
NewarkSTGD4M65DF201Cut Tape
AvnetSTGD4M65DF202500
18h
Arrow ElectronicsSTGD4M65DF202500

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STMicroelectronics

Datasheet20 SeitenVor 10 Jahren

Newark

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Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGD4M65DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
STMicroelectronics
68W 8A 650V FS(Field Stop) TO-252-2(DPAK) IGBT Transistors / Modules ROHS
Digi-ic_SMART PIONEER
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
UnikeyIC
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
IHS
M Series 650 V 8 A 68 W Surface Mount Trench Gate Field Stop IGBT - DPAK
Future Electronics
晶体管, IGBT, 650V, 8A, 175度 C, 68W;
element14 APAC
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Jak Electronics
IGBT, 650V, 8A, 175DEG C, 68W;
Farnell
IGBT, SINGLE, 650V, 8A, TO-252; Continuous Collector Current:8A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:68W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Farnell
TME
Lanka Micro

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics