STMicroelectronics STGD4M65DF2
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Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STGD4M65DF2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
68W 8A 650V FS(Field Stop) TO-252-2(DPAK) IGBT Transistors / Modules ROHS
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
M Series 650 V 8 A 68 W Surface Mount Trench Gate Field Stop IGBT - DPAK
Trans IGBT Chip N-CH 650V 8A 68W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
68W 1.6V Freestanding 650V 8A DPAK SMD mount 2.63mm(height)
晶体管, IGBT, 650V, 8A, 175度 C, 68W;
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
IGBT, 650V, 8A, 175DEG C, 68W;
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation68 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
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