STMicroelectronics STGB40V60F

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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Newark

Datasheet24 SeitenVor 13 Jahren

STMicroelectronics

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-06-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)

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600V Automotive UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGB40V60F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Short-circuit rugged IGBT, D2PAK, Tape and Reel
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
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62.5W 1.8V 600V 80A D2PAK,TO-263
IGBT, SINGLE, 600V, 80A, TO-263; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.8V; Power Dissipation:283W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics