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STMicroelectronics STGB30H65DFB2

Igbt, 650V, 50A, 167W, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGB30H65DFB2
$ 0.974
Production
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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Newark
STGB30H65DFB2
924
1
Cut Tape
USD
2,930
1,900
1,350
0,972
0,972
TME
2
STGB30H65DFB2
0
1
USD
2,800
1,960
1,540
1,540
1,540
23h
Avnet
STGB30H65DFB2
0
1K
USD
0,955
0,801
3h
Arrow Electronics
STGB30H65DFB2
0
1K
USD
2,514
2,391
Mouser
511-STGB30H65DFB2
783
1
Tape & Reel
USD
2,990
1,920
1,330
0,974
0,957

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-04-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STGB30H65DFB2, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Igbt, 650V, 50A, 167W, To-263 Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGB30H65DFB2
Augswan
Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 IGBT, D2PAK
Future Electronics
Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 30A 3-Pin D2PAK T/R
Avnet
IGBT, SINGLE, 650V, 50A, TO-263; Continuous Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:167W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

element14 APAC
TME
LZChips

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics