STMicroelectronics STF80N10F7
Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-04-01
LTD Date2021-10-01
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPSMN8R5-100XSQ
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIRFI4410ZPBF
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB FullPak package, FULLPAK220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTF100N10F7
N-channel 100 V, 0.0068 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTF110N10F7
N-channel 100 V, 5.1 mOhm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STF80N10F7, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 40 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 100V, 40A, To-220Fp; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.5V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STF80N10F7
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.240009 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max10 mΩ
Rise Time13.5 ns
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Datenblätter und Dokumente
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